3、超薄芯片的双面暴露封装结构及其制造方法

    专利号：201703160             申请人：万国半导体（开曼）股份有限公司

发明人：龚玉平             

摘要：一种超薄芯片的双面暴露封装结构及其制造方法，将具有源极电极和闸极电极的芯片以倒装方式粘结到导线框架上，塑封芯片，研磨减薄塑封料和芯片的厚度，利用屏蔽在芯片背面沉积背面金属层，以线夹附着方式连接芯片背面和导线框架，从导线框架的顶面注入第二塑封料，对导线框架和芯片进行顶部暴露塑封，将连接芯片背面和导线框架的线夹暴露在第二塑封料的顶部，将导线框架的底面暴露在第二塑封料的底部，切割导线框架和第二塑封料以形成多个双面暴露的半导体封装结构。本发明采用了减薄的芯片结构，降低了电阻，并且将半导体组件的源极、闸极和汲极都暴露在塑封料之外，这种双面暴露的封装结构，大大提高了组件的散热性能。