专利号：TW I384558                      申请人：“行政院”原子能委员会核能研究所

发明人：杨村农

摘要：一种自外部去除杂质以提纯冶金级硅材料之制备方法，其特征在于处理后之杂质浓度较原先未处理时之杂质浓度值系可降低100倍以上，为一种绿色环保制程者。主要内容系利用自外部去除杂质法降低冶金级硅材料距表面下某一定深度局部区域内之杂质浓度，尤指纯度约为4~6N范围之提纯冶金级硅(Upgraded Metallurgical Grade Silicon,UMG-Si)材料，而于此提纯冶金级硅材料距表面下某一定深度局部区域，获得一较高质量之硅薄层，并可依此获得之局部区域适用于太阳能电池及其相关之光电应用。