专利号：TW I370854                      申请人：丁原杰

发明人：丁原杰；曾志璇

摘要：本发明系提供一种高纯度二氧化硅与冶金级多晶硅之制法，高纯度二氧化硅之制法系先将预定比例之二氧化硅均匀溶解于氟化氨(NH₄F)水溶液中并以预定温度加热，再加入预定温度之热水于溶液中予以搅拌，并过滤固体残留物，继而将过滤后之溶液降温至室温，可获致氟化硅铵盐(NH₄)₂SiF₆晶体，复重复前述二步骤预定次数而获致预定纯度之氟化硅铵盐(NH₄)₂SiF₆晶体，再导入大量氨气并以预定温度加热氟化硅铵盐(NH₄)₂SiF₆晶体以进行化学反应，最后，即可得到高纯度二氧化硅。而冶金级多晶硅之制法系取氟化硅铵盐(NH₄)₂SiF₆为原料，将其置于一容器内并通入氢/氩(H₂/Ar)混合气，再以预定温度加热该容器，使氟化硅铵盐(NH₄)₂SiF₆、氢/氩(H₂/Ar)混合气产生还原反应，预定时间后停止加热，使该容器自然冷却，待其冷却至适当温度后停止通入氢/氩(H₂/Ar)，最后，即可于该容器内产生冶金级多晶硅粉末。