专利号：TW I400352                      申请人：“行政院”原子能委员会核能研究所

发明人：杨村农                      

摘要：一种提纯冶金级硅基板硅纳米线太阳电池组件之制备方法，系利用常压式化学气相沉积设备方法，于纯度小于5N(99.999%)之低成本P-型(或N-型)提纯冶金级硅基板材料上，以金属镍薄膜为催化剂材料，成长N-型(或P-型)之硅纳米线(Silicon Nanowires,SiNWs)，形成太阳电池之P-N结构；最后再利用网版印刷设备方法，及银胶与铝胶等材料，分别制作正面与背面电极，以获得一提纯冶金级硅为基板硅纳米线太阳电池组件。藉此，本发明采用常压式化学气相沉积及网版印刷设备方法，使用较传统太阳电池更少之制程，与较低之设备投资成本，并且使用极少量之硅材料，如硅纳米线，以及较低成本之冶金级硅基板材料，可在冶金级硅基板材料上，成功成长硅纳米线，进而制作与获得一种能更易于被广泛推广应用之低成本之硅基太阳电池组件。