专利号：TW I416598                      申请人：“行政院”原子能委员会核能研究所

发明人：杨村农                     

摘要：一种利用磊晶硅薄膜降低提纯冶金级硅芯片内金属杂质之制备方法，系选择一5N(99.999%)纯度之提纯冶金级硅芯片，利用常压式化学气相沉积设备方法(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition,APCVD)，于其任一上表面上，执行与成长一高质量或含低杂质之磊晶硅薄膜，并通过连续之热处理扩散制程，以该磊晶硅薄膜作为该提纯冶金级硅芯片金属杂质之陷落位置，利用浓度梯度与温度梯度及接口缺陷，建立个别与其综合效应，达到可提升原5N(99.999%)纯度之物理法提纯冶金级硅芯片至小于或等于6N(99.9999%)纯度之水平者。藉此，能简单、快速与有效地获得一种低成本物理法太阳能级硅芯片，可应用于制作一种低成本之硅基太阳电池。