专利号：TW I484075                      申请人：孙文彬

发明人：孙文彬                      

摘要：一种结合冶金法制造多晶硅之方法，其系：经由一矿热炉熔炼产出冶金硅；再将该冶金硅注入RH-MFB真空炉进行冶金法多晶硅除硼除磷制程，直到该冶金硅所含的硼少于0.4ppm、磷少于0.8ppm；接着，将完成除硼除磷步骤之冶金硅取出进行浇铸凝固，再将其破碎，以酸洗除去金属杂质后，即形成多晶硅。