专利号：TW I403461                      申请人：高政治

发明人：高政治

摘要：本发明提供一种冶金硅纯化产出良率改善方法及其装置，针对冶金硅(UMGSi)纯化制程中，在反应炉纯化反应过程，通过利用以下所述步骤在同一设备中依序进行纯化，该步骤包括：喷砂去碳、选用坩埚、原料硅加热、添加水溶性物质、高压喷射气体隔离、真空压力控制、向上排出废气及电力冷却控制等对坩埚内部熔融硅进行纯化加工，并有效去除熔融硅内部氧、碳及不纯物等含量，不仅能纯化冶金硅达到太阳能电池高纯度硅使用标准，且能以低廉生产方式供应于市场，及提升制品良率与避免因经时使用所造成太阳能电池电动势(起电力)降低的问题。另提供一种纯化加工废气排气装置，使其经由反应炉腔室上方排出，以防止废气的逆扩散回流至熔融硅污染纯化硅，以及避免废气污染设备降低设备使用寿命。