具有中介框架的封装件及其形成方法
发布时间:2014年10月14日

3、具有中介框架的封装件及其形成方法

专利号:CN201310003767.5                 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司

发明人:吴俊毅                            地址:中国台湾新竹

摘要:本发明提供了采用堆叠式封装件(PoP)技术利用中介框架形成封装件的机制的实施例。通过采用具有一种或多种添加物的衬底以调整衬底的特性形成中介框架。中介框架具有衬有导电层的衬底通孔(TSH)以与邻近封装件上的焊球形成衬底通孔(TSV)。中介框架能够减少TSV的间距、热膨胀系数(CTE)的不匹配、短路和焊接处的分层,以及增加PoP封装件的机械强度。本发明提供具有中介框架的封装件及其形成方法。