分类号：H01L21/31;H01L21/316

申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司

地址：台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号

发 明 (设计)人： 许淑雅

摘要： 本发明揭示一种形成牺牲氧化层的方法。本发明利用氧与氢氧根进行一现场蒸汽发生制程以氧化底材的有源区并形成一牺牲氧化层。此现场蒸汽发生制程可减少牺牲氧化层的应力与侵蚀的问题。与传统牺牲氧化层不同的是，以本发明形成的牺牲氧化层不会破坏底材，因此有源区域的电性与机械性质可以确保。