分类号：H01L21/31;H01L21/283

申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司

地址： 台湾省新竹科学工业园区

发明 (设计)人：李世达;徐震球

摘要： 一种多孔性低介电常数材料的制造方法，主要是利用临界点干燥的方式，配合压力、温度的变化，将特定湿膜组成物中的液体成分予以释出，而形成具有多孔性结构的低介电常数材料。具有高稳定性、不易碎裂、高硬度、粘着度佳、热膨胀系数低等优点；可兼容于化学机械研磨制程；具有制程简单及成本低，故可广泛地应用至各种需要使用低介电材料的应用场合中，例如积体电路的镶嵌制程、液晶显示器或通讯用积体电路等的应用上。