在台湾“科技部”“尖端晶体材料开发及制作计划”的支持下，台湾半导体材料研究取得重大突破。台湾“科技部”于8月3日宣布，台湾、日本、沙特阿拉伯等跨国团队已成功研究出单层二硫化钼P-N接面，可望取代矽晶片成为新世代半导体核心元件，解决半导体元件制备关键问题，这是全球第1个发表的新世代半导体材料基础研究成果。二硫化钼是继石墨烯后，备受国际科学家关注的层状材料。单层二硫化钼具有良好的发光效率、极佳的电子迁移率（可快速反应）与高开关比（电晶体较稳定），未来可广泛应用于极度微小化的电子元件，如低耗能软性电子与穿戴式电子元件、手机元件等。